Dioda zener dalam kondisi Reverse bias

Postingan kali ini akan diuraikan bagaimana sebuah dioda zener dalam kondisi bias balik.

Dalam  kondisi  reverse  bias  dioda  zener  kaki  katoda  selalu  diberi tegangan yang lebih positif terhadap anoda.

Jika tegangan yang dikenakan mencapai nilai breakdown, pembawa minoritas lapisan pengosongan dipercepat sehingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari orbit terluar. Elektron yang baru dibebaskan kemudian dapat menambah kecepatan cukup tinggi untuk membebaskan elektron valensi yang lain. Dengan cara ini kita memperoleh  longsoran elektron bebas. Longsoran terjadi untuk tegangan reverse yang lebih besar dari 6V atau lebih.

Efek zener berbeda-beda bila dioda di-doping banyak, lapisan pengosongan  amat sempit. Oleh karena itu medan listrik pada lapisan pengosongan amat kuat. Jika kuat medan mencapai kira-kira 300.000 V persentimeter, medan cukup kuat untuk menarik elektron keluar dari orbit valensi. Penciptaan elektron bebas dengan cara ini disebut breakdown zener.
Efek zener dominan pada tegangan breakdown  kurang dari 4 V, efek longsoran dominan pada tegangan breakdown yang lebih besar dari 6 V, dan kedua efek tersebut ada antara 4 dan 6 V. Pada mulanya orang mengira bahwa efek zener merupakan satu-satunya  mekanisme breakdown  dalam dioda. Oleh karenanya,  nama “dioda  zener”  sangat luas digunakan sebelum efek longsoran ditemukan. Semua dioda yang dioptimumkan bekerja pada daerah breakdown oleh karenanya tetap disebut dioda zener.

Didaerah reverse mulai aktif, bila tegangan dioda (negatif) sama dengan tegangan zener dioda,atau dapat
 dikatakan  bahwa didalam daerah aktif reverse ( I/U) konduktansi besar sekali dan sebelum aktif (I/U) konduktansi kecil sekali

Dioda zener dalam kondisi Reverse bias Rating: 4.5 Diposkan Oleh: budis

No comments:

Berlangganan Via Email