untuk menjadikan pita valensi bertumpang tindih dengan pita konduksi diantaranya diperlukan medan. Sebagai contoh : Si mempunyai celah energi 1 ev. Ini diperkirakan beda energi antara dua inti ion yang terdekat dengan jarak + 1 A0 (10–10 m). Maka dari itu diperlukan gradien medan + 1 V/10-10 m untuk menggerakan elektron dari bagian atas pita valensi ke bagian bawah pita konduksi. Namun gradien sebesar itu kurang praktis. Kemungkinan lain untuk keadaan transisi yaitu tumpang tindih kedua pita dapat diperoleh dengan pemanasan.
Pada suhu kamar ada juga beberapa elektron yang melintasi celah energi dan hal ini menyebabkan terjadinya semi konduksi. Pada semi konduktor intrinsik, konduksi tersebut disebabkan proses intrinsik dari bahan tanpa adanya pengaruh tambahan. Kristal Si dan Ge murni adalah semi konduktor intrinsik. Elektron-elektron yang dikeluarkan dari bagian teratas pita valensi ke bagian pita konduksi karena energi termal adalah penyeban konduksi.
Tingkat fermi pada semi konduktor intrinsik pada pertengahan celah energi Karena perpindahan elektron dari pita valensi, maka pada pita valensi terjadi lubang di setiap tempat yang ditinggalkan elektron tersebut.
Suatu semi konduktor intrinsik mempunyai lubang yang sama pada pita valensi dan elektron pada pita konduksi. Pada pemakaian elektron yang lari ke pita konduksi dari pita valensi, misalnya karena panas dapat dipercepat menggunakan keadaan kosong yang memungkinkan pada pita konduksi. Pada waktu yang sama lubang pita valensi juga bergerak tetapi berlawanan arah dengan gerakan elektron. Konduktivitas dari semi konduktor intrinsik tergantung konsentrasi muatan pembawa tersebut yaitu ne dan nh.
Semoga bermanfaat,
No comments:
Post a Comment